工程背景图片 成都某半导体行业厂种植的过程 中还产生高硅废气（SiO₂ 500-800mg/L）和含氟废气（F⁻ 200-300mg/L）。二种废气混后常养成氟硅酸胶体溶液，传统意义化学乳浊液法根本无法比较稳定及格。创业项目特殊要求关联消除硅和氟（排出的标准：SiO₂≤30mg/L，F⁻≤10mg/L）。 电镀废水物质及源头 包括化学成分 ：硅酸氢钠（NaHSiO₃）、氟化铵（NH₄F）、异丙醇 来原 ：晶圆刻蚀废气、CMP考虑废气、设施清洁水 处里工序程序 协同工作悠长岁月中时期 ： 二级症状池 ： 一、级添加Ca(OH)₂绘制CaF₂和CaSiO₃析出； 第一级污泥脱水PAC（整合氯化铝）升级水解酸化池。 固液分離时段 ： 反渗透膜系统化 ：使用0.02μm外径膜配件公款私存固体硅和微细沉淀物物。 程度脱氟关键时期 ： 树脂吸附性阳极氧化铁树脂吸附塔 ：残留氟正离子物理吸附去掉。 决定的效果 喷水SiO₂≤25mg/L，F⁻≤8mg/L，远具有发展中标准规范的。 反渗透装置设备通量增强在15LMH，耐腐蚀洗期提升至60天。 污水经压滤后含水分率＜65%，可按基本上固体废弃物加工。